臺廠首家 鴻鎵氮化鎵技術 打進日系供應鏈

鴻鎵抗靜電鍍膜於半導體封裝模具及治具，實現可平面、立體鍍膜成果。圖／鴻鎵科技提供

鴻鎵科技專注於氮化鎵（GaN）研發技術，提供節能省電之功率半導體元件與終端產品。深耕佈局日本氮化鎵快充市場、爲臺灣首家打入嚴謹日商供應鏈公司；研發技術也獲得電源大廠環隆科技所採用。鴻鎵科技提供65W氮化鎵快充，並通過日本PSE認證。鴻鎵科技亦積極佈局半導體領域，研發新材料，最新抗靜電技術更打入世界級封測大廠，2024年中便有望漸收成效。

鴻鎵科技攜手日本電信集團子公司NTT-AT，將氮化鎵快充導入日本市場販售，爲臺灣第一家GaN廠商與日本大廠合作；雙方持續擴大合作領域，開發新款100W氮化鎵快充，估計2024年問世。未來將會與手機大廠一同開發，將GaN功率元件導入旗下品牌快充、積極跨進國際市場。

在半導體技術部分，鴻鎵亦積極搶進。隨着AI、電動車、低軌衛星應用，半導體元件全面導入10奈米以下先進製程，然而在封裝過程中，將遇到嚴重靜電效應，生產良率降低等問題。鴻鎵科技推出全新領先全球耐高溫300℃、具高耐磨特性的抗靜電技術，不僅可應用於GaN封裝製程良率提升，同時爲先進半導體產業市場提供高效率、高可靠度的抗靜電解決方案。

鴻鎵科技指出，公司研發團隊長期致力半導體等級新材料研發。最新一代抗靜電技術，可於金屬材料表面形成一層緻密、耐高溫的抗靜電層，於表面生成高耐磨且壽命長的奈米級鍍膜，精準控制表面電阻值在10⁵到10⁹ Ω區間，有效防止靜電的累積。該技術不僅在生產過程中提供可靠的防禦，還能確保半導體設備在使用中不會受到靜電的影響，提高產品可靠度，以及延長設備使用壽命。

鴻鎵進一步分析，此抗靜電技術除特性優於現有抗靜電技術外，且不受尺寸限制，因此成本相較於現有抗靜電鍍膜技術具競爭力，並可廣泛應用於半導體制造的各製程，包括製造、封裝和測試等環節；目前已送樣封測大廠測試中，預估今年在先進鍍膜業績，便會迅速看到成長。