半導體大戰！ 陸發展晶片原子彈 美擬祭出十年計劃

美國半導體產業協（SIA）及半導體研究聯盟（SRC）日前公佈即將發表的「半導體十年計劃」預覽報告，呼籲美國政府未來十年內，每年投資34億美元（合計340億美元，臺幣9860億元），分別在五大領域資助半導體的研發。（圖/達志影像/shutterstock）

在大陸傾全國之力發展第三代半導體之際，美國半導體產業協（SIA）及半導體研究聯盟（SRC）日前公佈即將發表的「半導體十年計劃」預覽報告，呼籲美國政府未來十年內，每年投資34億美元（合計340億美元，臺幣9860億元），分別在五大領域資助半導體的研發，以維持美國目前領先的科技優勢，完整報告預計將在今年十二月公佈。

大陸近年來已推出一連串措施來支持國內半導體產業，包括設立規模290億美元的半導體投資基金，另外也計劃於第十四個五年計劃中，在科學研究、教育和融資方面大力支持第三代半導體產業，對此項任務賦予的優先程度「和當年製造原子彈一樣」。

不過，由於美國祭出華爲禁令，大陸半導體產業正面臨美國總統川普的進一步制裁，但面對大陸在半導體技術的野心，SIA、SRC等產業團體要求美國政府採取更積極的行動。

因此，產官學界等跨領域的領袖所構思撰寫並提出的「十年計劃」，即未來十年的晶片研究及優先撥款，將有助於增強美國半導體技術，並刺激在人工智慧、量子運算及先進無線通訊等新興技術領域的成長，認爲晶片技術的未來將面臨五大「鉅變」，呼籲美國政府在未來十年內，每年投資34億美元，資助這五大領域的半導體研發，這五大領域分別是智慧感測、記憶與儲存、通訊、安全及能源效率。

根據SIA之前的研究，「十年計劃」建議聯邦政府每年增加34億美元投資，未來十年將能增強美國半導體產業的全球領導地位，增加美國經濟產值（GDP）1610億美元，創造100萬份工作，「十年計劃」完整報告預計將在今年十二月公佈。