《半導體》環球晶黑夜點燈,爲多頭系生機

5G仍是帶動今年半導體成長的最大動能環球晶(6488)今年在韓國美國廠擴增產能,臺灣預計中德廠擴增一座無塵室,日前董事會通過境外資金匯回達3.5億美元(超過新臺幣100億元),預計今年第1季資金迴流,投資高階碳化矽(SiC)晶圓、擴大研發與發展綠色能源四大領域。環球晶早盤股價抗跌逆勢翻紅,爲多頭維繫一線生機

環球晶董事長徐秀蘭表示,今年第1季比預期更健康,12吋矽晶圓需求已好到搶貨狀態,磊晶銷售一空,環球晶因長約客戶居多,價格較不受市況波動

環球晶去年8月董事會通過與GT Advanced Technologies(簡稱:GTAT)的碳化矽晶球長約案。環球晶圓和GTAT雙方達成協議共同簽署碳化矽晶球長約,此合約將確保環球晶圓取得長期穩定,且可依市場需要快速擴充產能的高品質碳化矽晶球供應,對於環球晶圓碳化矽產品的加速成長,具有長遠積極的實質效益

碳化矽(Silicon Carbide:SiC)的晶片生產,其專業知識技術能力門檻程度極高。碳化矽的性能具備高擊穿電場強度與寬能帶隙,可承受大電流與耐高壓運作,同時具備高熱傳導特性,可在SiC元件上實現高切換頻率,耐高壓,且縮小元件/模組體績,同時可使元件在高熱環境下有效作動,適合製造超高效能功率裝置。碳化矽產品的應用層面廣泛,例如:電子供應系統風力發電鐵路等大型交通工具、太陽能逆變器、不斷電系統及電源供應器等,特別在現今電動車電力電子等快速發展市場受到高度歡迎。