《半導體》IET-KY前3季每股賺1.72元 未來營運漸入佳境

IET-KY(英特磊)(4971)前3季每股盈餘爲1.72元,英特磊董事長永中表示,目前PIN磊晶片高速量測HBT量產訂單已覆蓋到明年第1季,砷化鎵(GaAs)高速VCSEL主要客戶量產訂單已到位,第4季營運重點對VCSEL與高端pHEMT磊晶片主要客戶量產出貨,爭取第4季銷售業績氮化鎵(GaN)高性能GaN HEMT上的N+GaN二次生長需求超出預期,已經開始接訂單,主要的營運動能則可望從明年開始。

IET-KY於今天(11日)召開法說會,公佈前3季財報,受惠於磷化銦(InP)的異質雙極電晶體(HBT)、晶片光接收器(PIN)和雪崩式光接收器(APD)出貨成長,英特磊第3季合併營收1.86億元,年成長6.77%,稅後盈餘爲3401萬元,年增55.51%,單季每股盈餘爲0.95元;累計前3季合併營收爲5.28億元,較去年同期增加約8.56%,稅後盈餘爲6127萬元,年增2.79倍,每股盈餘爲1.72元。

在歷經產品轉換及疫情影響後,隨着市場需求急速拉昇,英特磊表示,今年營運目標維持不變,未來業績表現可望漸入佳境,穩定成長。

就各產品來看,高永中表示,磷化銦(InP)應用包括:高頻光纖網路、高頻量測儀器元件、光通訊用光接收器於雲端計算、資料庫、資料傳遞應用,5G基礎建設等;目前PIN磊晶片,高速量測HBT量產訂單已覆蓋到明年第1季,隨着市場需求增大,公司亦將提高產能利用率準時交貨,同時積極與APD多家磊晶片客戶進行產品認證

在研發方面,重點爲研發長波長雷射應用磊晶片,明年中投入中型機臺,擴大磷化銦磊晶片產能。

在砷化鎵部分,高速VCSEL主要客戶量產訂單已到位,第4季營運重點對VCSEL與高端pHEMT磊晶片主要客戶量產出貨,爭取第4季銷售業績,同時與各客戶開發其他VCSEL產品,包含InP-based VCSEL及dilute nitride 13xx nm磊晶產品。

在氮化鎵方面,目前氮化鎵的生長優化進行順利,高性能GaN HEMT上的N+GaN二次生長需求超出預期,已經開始接訂單;公司重點專注於利用MBE氮化物磊晶開發的獨特生長能力,預期會有較快的成長。初步不會有太大的營收貢獻,主要的營運動能則可望從明年開始。