《半導體》看好SiC和GaN前景 環球晶與交大成立化合物半導體研究中心

看好第三代半導體材料碳化矽(SiC) 和氮化鎵(GaN)的未來前景環球晶(6488)今(6月22日)與交通大學簽署備忘錄,將共同合作成立化合物半導體研究中心。透過產學合作的模式,攜手研發第三代半導體材料包含但不限於6吋~8吋SiC 和GaN之技術開發,用以支持晶體成長、提供高性能元件應用所需,以利快速建構臺灣化合物半導體產業鏈。

交通大學代理校長陳信宏表示:「交大結合校友力量,每年募款1億元,協助交大推動尖端研究,期望五至十年能有三至五個領域達到世界第一的目標,進而成就「偉大大學」之願景。」規劃以半導體、AI、生醫爲三大重點領域。其中,半導體晶圓發展小組特別與臺灣第一大、全球第三大的矽晶大廠環球晶圓合作。由於SiC和GaN是非常具有發展前景的半導體材料,在5G、電動車太陽能發電功率發電的應用上,是最重要的成功關鍵,臺灣在這個領域必須積極擘劃快速佈局方能與世界接軌並在全球市場佔有一席之地。交通大學結合多所學校相關研究的教授羣,以化合物半導體材料研究和人才培育計劃主軸,與環球晶圓共同努力加速開發SiC和GaN,建立產學互饋循環機制並培育國際級研發團隊,以利提升臺灣半導體產業於全球的競爭實力

世界各國看好第三代半導體材料的市場發展潛力,積極在化合物半導體上加速佈局。環球晶圓在碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN) 已深耕多年,研發團隊優秀卓越並已開發多項專利生產技術精湛並具有完整的生產線。因此,環球晶圓決定與人才濟濟的交通大學在化合物半導體展開合作,串連各自的專業領域與技術優勢加速前進,創造企業成長的新契機。環球晶圓期以成爲世界頂級的半導體SiC晶圓和GaN晶圓的供應商之一,未來長期營運發展樂觀可期!