據東風公司消息，東風碳化硅功率模塊將於2023年實現量產，這意味着，東風自主新能源乘用車屆時將裝上更低損耗、更高效率、更耐高溫和高電壓的第三代半導體。
IGBT，被稱爲電力電子行業裡的“CPU”，是新能源汽車電控系統核心部件。將多個IGBT芯片集成封裝在一起，就形成IGBT模塊。
爲了實現IGBT核心資源自主掌控，2019年，東風公司與中國中車成立智新半導體有限公司，開始自主研發、生產車規級IGBT模塊。2021年，一條年產30萬隻模塊的IGBT生產線，在湖北武漢東風新能源汽車產業園正式投產。
智新半導體IGBT模塊對標國際領先水平，智新半導體有限公司研發部部長餘辰將說：“與競品相比，我們的產品在散熱、損耗和成本方面具有明顯優勢。”
東風碳化硅功率模塊，是智新IGBT模塊的升級產品、第三代半導體。據介紹，該模塊能推動新能源汽車電氣架構從400V到800V的迭代，從而實現10分鐘充電80%，並進一步提升車輛續航里程，降低整車成本。東風碳化硅功率模塊項目於2021年1月在智新立項，目前課題已經順利完成，將於2023年搭載到東風自主新能源乘用車，實現量產。（劉桔、高幸）