光程研創新晶片 創3世界標竿

投入矽鍺(GeSi)光子技術光程研創(Artilux)30日宣佈,全球首創基於12吋CMOS製程結合矽鍺短波紅外線(Shortwave Infrared,SWIR)雙模(2D/3D)感知技術單晶片,已驗證完成並於臺積電導入量產

光程研創表示,新晶片量產成功創下推出高解析GeSi像素技術、推出SWIR雙模成像技術、以及SWIR在12吋晶圓量產等三個世界第一標竿,並可望加速推動光達(LiDAR)應用全面普及化。。

紅外線感測已經被大量應用在行動裝置智慧穿戴、智慧家電、環境偵測等領域,其中極具穿透掃描特性的SWIR短波紅外光影像感知技術需求大增。由於現階段市場上SWIR波段皆爲2D成像應用,主要採用砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)基板及其他三五族化合物半導體單元感測器製程生產,少數高解析度成像陣列除價格昂貴之外,亦無法與CMOS製程進行單晶片整合,更遑論能在SWIR波段呈現高畫質3D影像。

光程研創與臺積電合作,推出基於CMOS製程的GeSi技術,在逐一克服先進材料導入、革新光子及整合光學技術、晶片系統架構演算法挑戰後,已能在SWIR波段演繹更爲精細的2D與3D成像及辨識效果,同時滿足業界對微小化、低功耗安全性無鉛)、高整合度、具成本競爭力進行大規模量產的期待。

光程研創執行長陳書履表示,光程研創將最先進的光子技術商業化,以期更緊密與人類生活應用連結,此次以全球首創CMOS製程的SWIR雙模感知技術,再度寫下光學成像嶄新的里程碑

未來將持續以紮實的創新技術實力加速光學感測等多元應用,期望引領新一波SWIR產業生態圈的蓬勃發展。

隨着SWIR雙模感知單晶片在臺積電量產,光程研創寫下三個世界第一標竿成果

一是推出高解析GeSi像素技術,解決業界以矽(Si)爲製程技術只能應用較窄波段及量子感光效率在不可見光波段低落的問題。二是SWIR雙模感知單晶片推出,解決業界無法以單晶片同時在SWIR波段呈現2D和3D成像的問題。三是在臺積電12吋廠量產,解決業界SWIR成像像素只能在6吋以下晶圓產線製造、且無法和CMOS製程電子電路整合成單一晶片的問題。