韓國晶片巨頭SK海力士 計劃升級在華工廠

韓國晶片巨頭SK海力士計劃升級在華工廠。（美聯社）

據《環球時報》引述據韓媒報導，韓國晶片巨頭SK海力士準備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關限制，對其中國半導體工廠進行技術提升改造。這被外界解讀爲，隨着半導體市場的復甦以及中國高性能半導體制造能力提升，一些韓國晶片企業準備採取一切可以使用的方法來提高在華工廠製造工藝水平。

韓國《首爾經濟》13日援引韓國業內人士的話稱，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態隨機存取存儲器（DRAM）生產設備提升至第四代10奈米工藝。對於「無錫工廠將技術升級」的消息，SK海力士方面表示「無法確認工廠的具體運營計劃」。

無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，產量約佔其DRAM總產量的40％。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10奈米DRAM。報導認爲，SK海力士對無錫工廠進行技術升級並不容易，因爲美國爲阻止中國半導體產業崛起，從2019年開始單方面限制製造尖端半導體必需的EUV光刻機出口中國。

報導稱，隨着全球半導體市場進入復甦，SK海力士認爲高性能晶片產能擴張已經刻不容緩，需要10奈米級第四代DRAM或更高版本產品來維持其市佔率。SK海力士總裁郭魯正出席CES展會時表示：「我們自去年以來就地緣政治問題組建了內部工作組，相信企業風險由此得到很大程度的緩解。」

中國半導體產業水平迅速提升引發韓媒高度關注。韓聯社12日引述投資銀行巴克萊的分析師在一份報告中稱，中國半導體制造商比外界所認爲的要「多得多」。瑞銀集團近期的一份報告稱，雖然美國正用各種方式阻止中國半導體崛起，但中國克服這些限制的能力不容小覷。中國企業正在加強對主要半導體制造設備的採購以增加供應。去年包括荷蘭ASML集團在內的國際半導體設備生產商來自中國的訂單激增。