聯電、新思擴大戰略合作發展14奈米

記者高振誠新竹報導

聯電(2303)與新思擴大戰略合作衝刺14奈米先進製程技術,聯電錶示,未來新思將會在聯電14奈米第2個PQV測試晶片上,納入DesignWare嵌入式記憶體IP及DesignWare STAR記憶體系統測試修復方案,未來將可提供更多矽資料,進一步微調14奈米FinFET製程。

新思科技IP暨原型建造行銷副總裁John Koeter指出:「新思科技與聯電擴展的合作關係展現了雙方共同的目標,也就是協助晶片設計公司在聯電製程上,將我們的DesignWare矽智財結合到其系統單晶片設計上」。

John Koeter透露,目前已有超過45顆FinFET測試晶片設計定案(tapeout),新思將持續爲FinFET製程提供高品質矽智財,使晶片設計公司能夠降低整合風險,並加速量產時程

聯電矽智財研發暨設計支援副總王國雍表示:「聯電現目前正致力建構相當完整全方位支援架構,藉此加速14奈米客戶design-in的速度。王國雍表示,聯電最先進的製程與新思科技優質的DesignWare矽智財繼續拓展合作,期盼這份夥伴關係所帶來的好處,可提供給雙方客戶獲得功耗效能成本上的優勢

據瞭解,雙方已成功設計定案第一個14奈米FinFET製程PQV,其中包含新思DesignWare邏輯庫與StarRC寄生電路抽取工具(parasitic extraction tool),這次合作也被雙方視爲夥伴關係的延續。

而相關消息也反映在股價上,聯電今天開高走高,尾盤收在13.15元;在權證市場,認購狀況相當熱絡建議想參與行情可選距到期日天數較長的進行佈局