南亞科斥資3000億新廠今動土 預計2025年投片量產、月產能4.5萬片

南亞科技新廠動土典禮。(圖/記者兆麟攝)

記者高兆麟/綜合報導

DRAM大廠亞科技(2408)今日於新北泰山南林科技園區舉行新廠動土典禮,因應未來市場需求及擴大臺灣DRAM產業的發展,南亞科技規劃投資新臺幣3,000億元興建一座雙層無塵室新廠。動土典禮由臺塑企業總裁王文淵及南亞科技董事長吳嘉昭主持,總統蔡英文、新北市長侯友宜行政院院長沈榮津監察院副院長李鴻鈞經濟部長王美花等中央及地方首長民意代表半導體業界人士等約320人應邀出席

南亞科技新廠基地包含「主廠房」、「研發大樓」及「水資源再生中心」,同時也將興建 EUV 極紫外光微影設備獨立廠房,以因應未來先進製程導入之需求。採用南亞科技自主研發的 10 奈米級(1A, 1B, 1C, 1D)製程技術生產 DRAM 晶片, 並將運用「AI 智慧製造」技術,全面提升製程效率。

南亞科新廠規劃分三階段進行擴建,完成後月產能可達到 4.5 萬片晶圓,預計 2025 年開始裝機投片量產, 全公司晶粒位元產出成長將達 120%,每年預估可創造超過 700 億元產值, 並提供約 3,000 個工作機會,間接創造產業鏈數千個就業機會

臺塑企業總裁王文淵表示,DRAM 是關鍵零組件,即使歷經 2007 年至 2012 年 DRAM 市場劇烈變動和 2008 年全球金融海嘯等難關,臺塑企業仍全力支持南亞科技挺過逆境,替臺灣保留電子產業關鍵零組件的技術。而且 DRAM 技術更迭快速,若無研發自主,技術及擴產將無法自我掌控,爲能完全擺脫營運枷鎖,南亞科技經過不斷的創新與研發,已成功開發出新世代 10 奈米級記憶體 技術,代表臺灣正式掌握 DRAM 半導體世界一流的先進技術能力。

南亞科技董事長吳嘉昭表示,爲了掌握 DRAM 關鍵技術,南亞科技五年來研發經費增加 3 倍,研發人力也擴充至千人規模,全球累計專利數超過 5,000 件。10 奈米級第一代 1A 技術及產品預計於今年下半年量產,第二代 1B 技術及產品已進入試產,並已展開第三代 1C 技術以及應用於 1D 的 EUV 技術研發工作。

南亞科技總經理李培瑛表示,南亞科技近年來在 ESG 各個面向的努力, 獲得國內外評選機構的高度肯定,入選「DJSI 道瓊永續世界指數及新興市場指數」、「國際碳揭露 CDP 氣候變遷最高評級及水安全領導評級」、「國家永續發展獎」、「國家企業環保獎」及「綠色工廠標章」等多項永續殊榮。

在研發方面, 積極開發低碳產品包括下世代記憶體 DDR5、LPDDR5,可以爲客戶節省 16% 到 35%的功耗

在生產方面,落實綠色生產,溫室氣體排放量 5 年來降低 30%, 節能措施近 5 年累計節電達 5,830 萬度,製程水回收率達到 90.8 %,佈局再生能源未來 10 年總量 2.5 億度太陽能。未來新廠,將以綠建築標準及智慧建築規劃,帶動 DRAM 產業鏈邁向綠色生產。