三星2024年將推300層以上V-NAND 有望超過競爭對手

三星總裁暨記憶體事業部負責人Jung-bae Lee 在其部落格中寫道，第九代 V-NAND 基於雙層結構，層數將達到業界最高水準，將於2024年初量產。

三星正開發超過300 層的第九代 V-NAND，保留三星 2020 年首次採用的雙層堆疊技術。三星不僅證實非揮發性記憶體 已步入正軌，其層數有望超過競爭對手SK海力士。