三星超車臺積電? 10奈米制程明年商業化

三星宣佈10奈米制程將於明年商業化意味在先進製程上將超車臺積電。(圖/本報資料照片)

記者張煌仁臺北報導

全球大晶代工廠在先進製程上的戰爭正式進入肉搏戰狀態韓國三星在17日宣佈,率先領先業界運用10奈米鰭式場電晶體(FinFET)製程生產SRAM(靜態隨機存取記憶體)。這樣意謂着三星10奈米制程技術已超車臺積電,甚至連晶片龍頭英特爾(Intel)都只能看三星的車尾燈。對此,臺積電近兩日的股價似乎沒有太大受到影響。臺積電18日收盤股價爲137元,小跌2元。而19日開盤又再重回138元價位,最高一度來到139元。

由於SRAM 速度比 DRAM 快,常被當作中央處理器(CPU)的快取記憶體,藉以提高CPU存取效率。而三星成功開發新世代SRAM,也代表其處理器製程工藝進階至10奈米的過程相當順利。其它,包括臺積電與英特爾在SRAM 製程技術上,目前還分別停留在16與14奈米的製程上。

與14奈米SRAM相比,10奈米可將128MB記憶體單位儲存面積縮小37.5%,配合10奈米打造的處理器,不僅運算效能加快且佔用空間更小。三星希望明年底將10奈米完成商業化。而如果三星在10奈米上能在2017年初進入全面量產,將使三星爭搶處理器代工訂單佔得有利位置。

另外,三星還同時將平面NAND快閃記憶體制程技術從16奈米推進至14奈米,將可降低生產成本、改善營利率東芝美光目前還停留在15或16奈米制程階段,並認爲這是平面NAND記憶體制程的極致,之後將朝3D堆疊發展。不過在三星做出突破後,或許平面NAND還有進一步延展的可能。

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