英特磊挾MBE 攻氮化鎵市場

三五族廠英特磊IET-KY(4971)22日召開股東會董事長總經理永中指出,下半年投入氮化鎵(GaN)/碳化矽(SiC)生產,並開發自組MBE機臺,銻化鎵(GaSb)國防訂單可望第三季簽約,今年營收成長動能仍來自主攻5G相關的磷化銦(InP),對下半年謹慎樂觀,全年營收年增5~15%目標不變。

氮化鎵能在高溫、高電壓環境運作,主要優勢在於高頻率元件。進入5G世代,對高頻率、高功率元件需求成長,氮化鎵被視爲下一世代關鍵材料、是繼砷化鎵(GaAs)後半導體材料的新起之秀,適用於5G網絡基站PA(功率放大器)、5G基礎建設、高頻高電壓元件及功率轉換器等。高永中特別點出,有多家客戶洽談合作事宜,2019年已與客戶着手開發。

英特磊爲全球唯二聚焦商用的MBE(分子束磊晶)高端晶廠,在新廠陸續完成六~八臺MBE機臺安裝後,也規畫組裝氮化鎵機臺。高永中指出,MBE在氮化鎵上具優勢,因生長溫度低,可以減少在尺寸越來越大時出現裂紋的可能,在產品準確度、參雜度、均勻度表現上,MBE都較MOCVD(金屬有機化學氣相沉積系統)來得好。