第三代半導體來電 利機發威

利機月合併營收表現

隨着5G基礎建設及電動車快速發展,支援高頻高速且能在高溫環境中運作的氮化鎵(GaN)及碳化矽(SiC)等第三代寬能隙半導體進入成長爆發期,然而傳統晶片焊接技術出現熱阻抗問題,熱阻較低的燒結銀技術成爲最佳解法,利機(3444)奈米燒結銀膠獲國際大廠認證及採用,下半年將放量出貨。

利機因爲面板驅動IC相關產品出貨下滑,5月合併營收月減22.5%達0.91億元,較去年同期減少15.0%,累計前五個月合併營收5.03億元,較去年同期成長0.7%。利機表示,5月營收雖然下滑,但因佣金模式佔比提升,實質獲利不受影響,今年4月及5月獲利合計已超過去年第二季單季獲利總額。

利機表示,屬佣金交易模式的BT載板相關,持續受惠高效能運算(HPC)和網通應用市況增溫,今年以來每月業績貢獻逐月墊高,成長態勢可維持全年,對整體毛利率顯著提升。封測相關及面板驅動IC相關產品5月業績表現略爲下滑,不過包括封裝用銲針(Capillary)及均熱片(Heat Sink)仍有成長,若封測廠產能利用率持續滿載,利機拉貨動能亦可同步向上。

隨着GaN及SiC在電動車電力系統、太陽能逆變器、5G基礎建設、電源快充、低軌道衛星的應用愈趨普及,在高頻、高速、高溫的運作情況下,第三代半導體因晶片尺寸較小,散熱難題成爲關鍵。特別是在大功率的應用中,從晶片到散熱片要傳輸龐大功耗,熱阻抗較低的燒結銀技術因爲能顯著降低結溫上升,從而增加了可靠性。

利機表示,透過關鍵奈米銀材料自制,獨特的樹脂配方能力,及燒結機制與介面作用的科學基礎研究等核心研發技術,利機已開發出低至175°C的較低燒結溫度、高達200 W/mK更高熱導率、且可加工性好及操作性佳、對各種表面處理基材具有高附着力的燒結銀系列產品,涵蓋了功率半導體封裝領域的所有應用。

利機表示,奈米燒結銀膠可應用在高功率及高散熱需求的半導體元件,亦作爲GaN或SiC等第三代半導體封裝主要固晶材料,目前正與中國、美國、歐洲等客戶合作認證中,積極拓展海外市場,可望打入全球半導體關鍵封裝材料供應鏈。