DRAM新紀元！美光率先以1Z製程量產16Gb DDR4
美光（Nasdaq: MU），今（27）日宣佈要開始使用1z奈米制程技術，成爲全球第一家量產16Gb DDR4產品的記憶體公司，邁入DRAM新紀元；同時推出業界最高容量的單片16Gb低功率雙倍資料速率4X（LPDDR4X）DRAM。
與上一代 1y奈米節點相比，1z奈米16Gb DDR4產品顯著提高位元密度、大幅增進效能並降低成本。同時，它也促進美光持續改善其運算 DRAM（DDR4）、行動 DRAM（LPDDR4）和圖形 DRAM（GDDR6）產品系列的相對效能和功耗。對於包括人工智慧、自動駕駛車輛、5G、行動裝置、圖形、遊戲、網路基礎設施和伺服器等應用而言，功率和效能之間的優化平衡是關鍵的差異化因素。
美光技術開發執行副總裁Scott DeBoer表示，現今擴充DRAM條件變得更加複雜，美光開發和量產業界最小尺寸的DRAM節點展現了世界級的工程和製造能力。
透過量產16Gb DDR4記憶體解決方案，美光開始將技術移轉至1z奈米，使用更小的節點進行生產帶來多項優勢，包括功耗較上一代 8Gb DDR4產品降低約40%；美光全面的1z奈米DDR4產品組合也滿足資料中心對更高效能、更高容量和更低功耗，日益增長的需求。
此外，美光今日也宣佈公司已開始批量出貨基於 UFS 規範多晶片封裝 （uMCP4） 的業界最高容量單片 16Gb 低功率雙倍資料速率 4X （LPDDR4X） DRAM。美光的 1z nm LPDDR4X 和 uMCP4 滿足了行動裝置製造商尋求更低功率和更小封裝，以設計具有吸引人的規格尺寸和長電池壽命的裝置需求。