《科技》新思技術擠進臺積電9000計劃

新思科技今(21)日推出適用於臺積電(2330)領先業界N3製程技術之DesignWare製程、電壓溫度(PVT)監控與感測子系統IP。PVT監控與感測子系統IP已納入臺積電9000計劃、臺積電技術元件資料庫以及IP品質管理計劃中,針對各種目標市場應用,包括人工智慧(AI)、資料中心、高效能運算(HPC)、消費性產品及5G等,爲客戶提供極具競爭力的效能優勢。以臺積電最先進製程作爲晶片設計目標的SoC設計人員,可利用深度嵌入式PVT監控和感測子系統技術,評估生產過程中的關鍵晶片參數,以及在裝置生命週期的每個階段進行即時動態條件測量分析

目前已隸屬新思科技的Moortec所提供的晶片內(in-chip)感測仍然是當今先進製程技術中能實現最高效能可靠性要素,可支援優化方案遙測和分析。子系統中的IP是新思科技晶片生命週期管理 平臺基礎元素。SLM流程始於在晶片深處放置晶片內感測器和 PVT監視器,其所提供的資料將有助於瞭解晶片效能和功耗活動,並讓SLM平臺的分析引擎能夠在半導體生命週期的每個階段帶來更詳細精確的優化。

臺積電設計建構管理處副總經理Suk Lee表示,臺積電持續與生態系統合作伙伴合作,解決客戶在功耗和效能方面的設計挑戰,並透過使用臺積電最新技術的設計解決方案,實現新一代的晶片創新。最新的新思DesignWare PVT監控IP證明了與新思持續合作的價值雙方客戶在受益於臺積電N3製程技術所帶來的功耗和效能優勢的同時,新的IP也將持續提供產品支援。

新思硬體分析及測試事業副總裁Amit Sanghani表示,設計的複雜性和裝置閘密度不斷增加,在相關需求的推動下,PVT監控的採用關係着先進節點的晶片設計是否成功。全套的DesignWare嵌入式PVT監視器和感測器是新思創新的新型晶生命週期管理平臺的一環,將爲晶片設計界提供創新的晶片內感測技術、即時的深度晶片洞悉,並在整個晶片生命週期中提升產品的利用率

新思DesignWare PVT監控和感測子系統可配置到特定的領域應用,目前可供先期客戶整合。