臺積電1nm以下製程取得重大突破，已發表於Nature
IT之家 5月17日消息 臺積電今日聯合臺大、麻省理工宣佈，在1nm以下芯片方面取得重大進展，研究成果已發表於Nature。
該研究發現，利用半金屬鉍 Bi 作爲二維材料的接觸電極，可以大幅降低電阻並提高電流，實現接近量子極限的能效，有望挑戰1nm 以下製程的芯片。
據介紹，該發現是由麻省理工團隊首先發現的，隨後臺積電將“易沉積製程”進行優化，而臺大電機系暨光電所教授吳志毅團隊則通過氦離子束微影系統”將元件通道成功縮小至納米尺寸。
IT之家此前報道，IBM 在5月初首發了2nm 工藝芯片，與當前主流的7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能預計提升45%，能耗降低75%。